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| MTM反熔丝单元的辐照特性研究 | |
| 作者单位： | ;1.中国电子科技集团公司第58研究所 |
| 摘 要： | 对MTM反熔丝单元的总剂量辐照特性进行了研究,对未编程和编程后两种状态的反熔丝单元在不同电压偏置条件下进行总剂量辐照(Co~(60)-γ射线),辐照总剂量为2 Mrad(Si)。辐照试验结果显示,未编程状态下的MTM反熔丝单元的电压-电流特性曲线基本保持不变,漏电流变化率小于10%。编程后反熔丝单元的电阻特性保持不变,并且编程电阻大小对辐照试验结果无显著影响。试验结果表明,MTM反熔丝单元的抗总剂量(Co~(60)-γ射线)辐照能力达到2 Mrad(Si)以上。 |
| 关 键 词： | MTM 反熔丝 总剂量效应 |
TID Effect on MTM Anti-fuse Cell |
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