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p型半导体金刚石膜的磁阻效应
引用本文:孔春阳,王万录,廖克俊,马勇,王蜀霞,方亮. p型半导体金刚石膜的磁阻效应[J]. 物理学报, 2001, 50(8): 1616-1622
作者姓名:孔春阳  王万录  廖克俊  马勇  王蜀霞  方亮
作者单位:(1)重庆大学理学院应用物理系,重庆400044; (2)重庆大学理学院应用物理系,重庆400044;重庆师范学院物理系,重庆400047; (3)重庆师范学院物理系,重庆400047
基金项目:国家自然科学基金(批准号:19904016)资助的课题.
摘    要:在p型硅(100)衬底上,采用衬底负偏压微波等离子体CVD方法进行了p型异质外延金刚石膜的生长.用O2等离子体刻蚀技术将金刚石膜刻蚀成长条形,利用四探针法在0—5T的磁场范围内测量了样品的磁阻.实验结果表明,p型异质外延金刚石膜可以产生较大的磁阻.在Fuchs-Sondheimer(F-S)薄膜理论的基础上考虑晶格散射、杂质散射和表面散射,通过求解Boltzmann方程,利用并联电阻模型研究了p型异质外延金刚石膜的磁阻效应,给出了磁阻和金刚石膜厚度、迁移率、空穴密度及磁场的关系.讨论了表面散射和价带形变对p型异质外延金刚石膜磁阻的影响,初步解释了p型异质外延金刚石膜产生较大磁阻的原因关键词:金刚石膜异质外延磁阻效应电导率

关 键 词:金刚石膜  异质外延  磁阻效应  电导率
收稿时间:2000-12-17
修稿时间:2000-11-17

THE MAGNETORESISTIVE EFFECT OF p-TYPE SEMICONDUCTING DIAMOND FILMS
KONG GHUN-YANG,WANG WAN-LU,LIAO KE-JUN,MA YONG,WANG SHU-XIA and FANG LIANG. THE MAGNETORESISTIVE EFFECT OF p-TYPE SEMICONDUCTING DIAMOND FILMS[J]. Acta Physica Sinica, 2001, 50(8): 1616-1622
Authors:KONG GHUN-YANG  WANG WAN-LU  LIAO KE-JUN  MA YONG  WANG SHU-XIA  FANG LIANG
Abstract:
Keywords:diamond films   heteroepitaxial   magnetoresistive effect   conductivity
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