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| 关于N-Si:Pd中能级E(0.37)和E(0.62)的识别 | |
| 作者姓名： | 周洁 阮圣央 郝灴 葛惟锟 吉秀江 李树英 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所(周洁，阮圣央，郝灴，葛惟锟，吉秀江)，中国科学院半导体研究所(李树英) |
| 摘 要： | 在已证实Si中与间隙Pd有关的E_(TA)(0.37)和E_(TB)(0.62)能级为同一双施主中心的(0/ +)态与(+/++)态的基础上,本文通过一系列实验事实进一步揭示该中心是有B杂质参与的络合物. |
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