| 氢气退火对大直径直拉硅单晶中空洞型缺陷的影响 |
| |
| 引用本文： | 余学功,杨德仁,马向阳,李红,阙端麟.氢气退火对大直径直拉硅单晶中空洞型缺陷的影响[J].半导体学报,2003,24(2):153-156. |
| |
| 作者姓名： | 余学功 杨德仁 马向阳 李红 阙端麟 |
| |
| 作者单位： | 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金;50032010; |
| |
| 摘 要： | 研究了氢退火对大直径直拉硅单晶中空洞型缺陷(voids)的影响.样品在1050～1200℃范围进行氢退火,退火前后样品上的流水花样缺陷(FPD)和晶体原生粒子(COP)在腐蚀后分别用微分干涉光学显微镜和激光记数器进行观察.实验结果表明在氢退火以后,FPD缺陷的密度随温度升高不变,而样品上的COP密度大量减少.分析可知,氢气退火仅仅消除了硅片表面的voids,而对于硅片体内的voids不产生影响,并在实验的基础上,讨论了氢退火消除voids的机理.
|
| 关 键 词： | 氢退火 空洞型缺陷 氧外扩散 |
| 文章编号： | 0253-4177(2003)02-0153-04 |
| 修稿时间： | 2002年4月27日 |
Effect of Hydrogen Annealing on Voids in arge-Diameter Czochralski Silicon |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《半导体学报》下载免费的PDF全文 |
|
