| GJB151B CS115的电路仿真分析（二）——标准应用分析 |
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| 引用本文： | 崔志同,陈伟,董亚运,聂鑫,吴伟,刘政.GJB151B CS115的电路仿真分析（二）——标准应用分析[J].强激光与粒子束,2022,34(6):063003-1-063003-6. |
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| 作者姓名： | 崔志同 陈伟 董亚运 聂鑫 吴伟 刘政 |
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| 作者单位： | 西北核技术研究所 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室，西安 710024 |
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| 基金项目： | 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室基金项目（SKLIPR1901） |
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| 摘 要： | 为解决GJB151B CS115电缆束注入脉冲传导敏感度测试项目中的试验设计、效果预估等问题，在介绍不同类型受试线缆感性脉冲电流注入电路模型的基础上，仿真分析了试验设置中的各项因素（线缆设置、末端负载等）对注入到受试设备端口耦合电流/电压的影响，得到了CS115试验设置中存在的一些规律性特征，给出了应用电路仿真开展CS115试验设置分析和优化的方法。
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| 关 键 词： | 电磁脉冲 CS115 脉冲电流注入 感性耦合 电路仿真 |
| 收稿时间： | 2021-11-19 |
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