GJB151B CS115的电路仿真分析(二)——标准应用分析 |
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引用本文: | 崔志同,陈伟,董亚运,聂鑫,吴伟,刘政.GJB151B CS115的电路仿真分析(二)——标准应用分析[J].强激光与粒子束,2022,34(6):063003-1-063003-6. |
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作者姓名: | 崔志同 陈伟 董亚运 聂鑫 吴伟 刘政 |
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作者单位: | 西北核技术研究所 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室,西安 710024 |
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基金项目: | 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室基金项目(SKLIPR1901) |
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摘 要: | 为解决GJB151B CS115电缆束注入脉冲传导敏感度测试项目中的试验设计、效果预估等问题,在介绍不同类型受试线缆感性脉冲电流注入电路模型的基础上,仿真分析了试验设置中的各项因素(线缆设置、末端负载等)对注入到受试设备端口耦合电流/电压的影响,得到了CS115试验设置中存在的一些规律性特征,给出了应用电路仿真开展CS115试验设置分析和优化的方法。
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关 键 词: | 电磁脉冲 CS115 脉冲电流注入 感性耦合 电路仿真 |
收稿时间: | 2021-11-19 |
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