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| 高电容密度硅基MIS芯片电容北大核心CSCD | |
| 引用本文： | 汤寅张龙杨党利谭德喜姚伟明王霄周剑明.高电容密度硅基MIS芯片电容北大核心CSCD[J].固体电子学研究与进展,2018(4):297-300. |
| 作者姓名： | 汤寅张龙杨党利谭德喜姚伟明王霄周剑明 |
| 作者单位： | 1.南京电子器件研究所210016; |
| 摘 要： | 制备了一种3D结构的硅基金属-绝缘层-半导体(MIS)芯片电容,通过深孔结构增大了电容的有效电极面积,从而极大程度地提升了电容密度,在耐压70V下其电容密度高达20nF/mm2,是传统平面MIS电容的50倍,在-55~150℃内其温度系数小于1%。 |
| 关 键 词： | 硅基电容器 深孔刻蚀 高电容密度 |
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