| PbTiO_3/SrTiO_3(001)复杂畴组态和缺陷的研究北大核心CSCD |
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| 引用本文： | 冯燕朋,朱银莲,唐云龙,马秀良.PbTiO_3/SrTiO_3(001)复杂畴组态和缺陷的研究北大核心CSCD[J].电子显微学报,2018(6):556-562. |
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| 作者姓名： | 冯燕朋 朱银莲 唐云龙 马秀良 |
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| 作者单位： | 1.中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室110016;2.中国科学院大学100049;3.兰州理工大学材料科学与工程学院730050; |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(No.51571197)；中国科学院前沿重点研究项目资助(No.QYZDJ-SSW-JSC010) |
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| 摘 要： | 用透射电子显微镜对PbTiO_3/SrTiO_3(001)薄膜内部所形成的复杂畴组态以及畴壁处的位错进行了系统的研究。透射电镜结果和几何相位分析(GPA)表明,薄膜内部两个交叉的a畴内部出现了180°畴壁,导致在局部区域形成了全闭合畴结构,在铁电畴壁处观察到高密度位错。高分辨HAADF-STEM像分析显示,在90°畴壁处容易形成a<011>型位错,在180°畴壁处容易形成a<100>型位错,表明位错的形成与铁电畴壁类型存在强耦合关系。
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| 关 键 词： | 铁电薄膜 畴组态 铁电畴壁 晶格缺陷 |
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