| 非掺杂GaN的黄光发射模型确定 |
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| 引用本文： | 赖天树,林位株,莫党. 非掺杂GaN的黄光发射模型确定[J]. 物理学报, 2002, 51(5): 1149-1152 |
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| 作者姓名： | 赖天树 林位株 莫党 |
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| 作者单位： | 中山大学超快速激光光谱学国家重点实验室,物理系,广州510275 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 (批准号 :6 98880 0 5 ,6 0 1780 2 0 );广东省自然科学基金 (批准号 :970 14 8,0 112 0 4)资助的课题~ |
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| 摘 要： | 提出了一种新的光谱———吸收归一化光致发光激发谱,并用这种光谱研究了非掺杂GaN的黄光发射.实验上首次直接测量出了黄光发射的初始态的共振吸收峰位,从而解决了长期争论的有关黄光发射的发光模型问题关键词：GaN薄膜黄光发射吸收归一化光致发光激发谱
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| 关 键 词： | GaN薄膜 黄光发射 吸收归一化光致发光激发谱 |
| 收稿时间： | 2001-12-30 |
| 修稿时间： | 2001-12-30 |
Determination of yellow photoluminescence model in undoped GaN |
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| Lai Tian-Shu,Lin Wei-Zhu and Mo Dang. Determination of yellow photoluminescence model in undoped GaN[J]. Acta Physica Sinica, 2002, 51(5): 1149-1152 |
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| Authors: | Lai Tian-Shu Lin Wei-Zhu Mo Dang |
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| Abstract: |
Keywords： |
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| Keywords: | GaN film yellow luminescence absorption-normalized photoluminescence excitation spectroscopy |
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