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15.14MeV/u 136Xe离子引起的单粒子效应
引用本文:侯明东,张庆祥,刘杰,王志光,金运范,朱智勇,甄红楼,刘昌龙,陈晓曦,卫新国,张琳,樊友诚,祝周荣,张弋艇. 15.14MeV/u 136Xe离子引起的单粒子效应[J]. 中国物理 C, 2002, 26(9): 904-908
作者姓名:侯明东  张庆祥  刘杰  王志光  金运范  朱智勇  甄红楼  刘昌龙  陈晓曦  卫新国  张琳  樊友诚  祝周荣  张弋艇
作者单位:中国科学院近代物理研究所,中国科学院近代物理研究所,中国科学院近代物理研究所,中国科学院近代物理研究所,中国科学院近代物理研究所,中国科学院近代物理研究所,中国科学院近代物理研究所,中国科学院近代物理研究所,中国科学院近代物理研究所,中国航科集团航天计算机研究所,
基金项目:国家自然科学基金 (1 9775 0 5 81 0 0 75 0 64),中国科学院基金资助~~
摘    要:研究了15.14MeV/u 136Xe离子在不同批次的32k×8bits静态存储器中所引起的单粒子效应.获得了单粒子翻转和单粒子闭锁截面与入射角度的依赖关系.将单粒子效应截面与灵敏区中沉积的能量相联系,而不是线性能量转移(LET)值.估计了灵敏体积的深度和死层的厚度.

关 键 词:单粒子翻转  单粒子闭锁  静态存储器
收稿时间:2001-10-09

Single Event Effects Induced by 15.14 MeV/u 136 Xe Ions
HOU Ming Dong ZHANG Qing Xiang LIU Jie WANG Zhi Guang JIN Yun Fan ZHU Zhi Yong ZHEN Hong Lou LIU Chang Long CHEN Xiao Xi. Single Event Effects Induced by 15.14 MeV/u 136 Xe Ions[J]. High Energy Physics and Nuclear Physics, 2002, 26(9): 904-908
Authors:HOU Ming Dong ZHANG Qing Xiang LIU Jie WANG Zhi Guang JIN Yun Fan ZHU Zhi Yong ZHEN Hong Lou LIU Chang Long CHEN Xiao Xi
Abstract:
Keywords:single event upset   single event latchup   SRAM
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