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15.14MeV/u 136Xe离子引起的单粒子效应
引用本文:侯明东,张庆祥,刘杰,王志光,金运范,朱智勇,甄红楼,刘昌龙,陈晓曦,卫新国,张琳,樊友诚,祝周荣,张弋艇.15.14MeV/u 136Xe离子引起的单粒子效应[J].中国物理 C,2002,26(9):904-908.
作者姓名:侯明东  张庆祥  刘杰  王志光  金运范  朱智勇  甄红楼  刘昌龙  陈晓曦  卫新国  张琳  樊友诚  祝周荣  张弋艇
作者单位:中国科学院近代物理研究所,中国科学院近代物理研究所,中国科学院近代物理研究所,中国科学院近代物理研究所,中国科学院近代物理研究所,中国科学院近代物理研究所,中国科学院近代物理研究所,中国科学院近代物理研究所,中国科学院近代物理研究所,中国航科集团航天计算机研究所,
基金项目:国家自然科学基金 (1 9775 0 5 81 0 0 75 0 64),中国科学院基金资助~~
摘    要:研究了15.14MeV/u 136Xe离子在不同批次的32k×8bits静态存储器中所引起的单粒子效应.获得了单粒子翻转和单粒子闭锁截面与入射角度的依赖关系.将单粒子效应截面与灵敏区中沉积的能量相联系,而不是线性能量转移(LET)值.估计了灵敏体积的深度和死层的厚度.

关 键 词:单粒子翻转  单粒子闭锁  静态存储器
收稿时间:2001-10-9

Single Event Effects Induced by 15.14 MeV/u 136 Xe Ions
HOU Ming,Dong\ ZHANG Qing,Xiang\ LIU Jie\ WANG Zhi,Guang\ JIN Yun,Fan,ZHU Zhi,Yong\ ZHEN Hong,Lou\ LIU Chang,Long\ CHEN Xiao,Xi.Single Event Effects Induced by 15.14 MeV/u 136 Xe Ions[J].High Energy Physics and Nuclear Physics,2002,26(9):904-908.
Authors:HOU Ming  Dong\ ZHANG Qing  Xiang\ LIU Jie\ WANG Zhi  Guang\ JIN Yun  Fan  ZHU Zhi  Yong\ ZHEN Hong  Lou\ LIU Chang  Long\ CHEN Xiao  Xi
Abstract:
Keywords:single event upset  single event latchup  SRAM
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