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聚乙烯二茂铁研制总结
作者单位:中国科学院上海有机化学研究所第三研究室304组,苏州地区化工局中心试验室
摘    要:半导体器件厂制作氧化铁彩色掩膜版时,使用剧毒的五羰基铁源,不能用电子束来直接制版,故拟试制聚乙烯二茂铁。聚乙烯二茂铁(下简称PVFc)用于半导体制版在国际上也只有两三年的历史。75年,美国Bell实验室报导,PVFc的氯苯溶液用涂敷法作成半导体掩膜版的氧化铁透明掩膜,不仅效率高,而且PVFc无毒。如果使用电子束制版,则由于PVFc对电子束的感光灵敏度比氧化铁高一千倍,这不但革除剧毒的五羰基铁,而且将使制版工艺大大简化,提高质量和工效。

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