| 薄膜SOI温度传感器中的少数载流子排斥效应 |
| |
| 引用本文： | 李斌,黎沛涛,刘百勇,郑学仁.薄膜SOI温度传感器中的少数载流子排斥效应[J].半导体学报,2003,24(5). |
| |
| 作者姓名： | 李斌 黎沛涛 刘百勇 郑学仁 |
| |
| 作者单位： | 1. 华南理工大学应用物理系,广州,510641
2. 香港大学电机电子工程系,香港 |
| |
| 基金项目： | 香港大学校科研和教改项目 |
| |
| 摘 要： | 在薄膜SOI衬底上制备普通电阻结构的硅温度传感器,并具有令人满意的特性:即使在0.1mA的低偏置电流下,器件的最高温度工作温度仍能达到550℃.实验结果分析说明,当硅膜足够薄时,普通电阻结构中可表现出较强的少数载流子排斥效应,大大提高了本征转折温度,从而提高器件的最高工作温度.同时,由于薄膜SOI温度电阻的结构对器件最高工作温度的影响不大,因而传感器的器件结构可以根据需要来选择.
|
| 关 键 词： | 少数载流子排斥效应 高温传感器 扩展电阻 SOI |
Minority-Carrier Exclusion Effect in Thin-Film SOI Temperature Sensor |
| |
| Li Bin,Lai Peitao,Liu Baiyong,Zheng Xueren.Minority-Carrier Exclusion Effect in Thin-Film SOI Temperature Sensor[J].Chinese Journal of Semiconductors,2003,24(5). |
| |
| Authors: | Li Bin Lai Peitao Liu Baiyong Zheng Xueren |
| |
| Abstract: | A silicon temperature sensor with a conventional resistor structure is fabricated on thin-film silicon-on-insulator (SOI) substrate.The sensor has very promising characteristics.The maximum operating temperature can reach 550℃ even at a low current of 0.1mA.Experimental results support that the minority-carrier exclusion effect can be strong in the conventional resistor structure when the silicon film is sufficiently thin,thus significantly raising the maximum operating temperature.Moreover,since the structure of the device on thin-film SOI wafer is not crucial in controlling the maximum operating temperature,device layout can be varied according to the requirements of applications. |
| |
| Keywords: | minority-carrier exclusion effect high temperature sensors spreading resistance SOI |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《半导体学报》下载免费的PDF全文 |
|
