氢气退火对大直径直拉硅单晶中空洞型缺陷的影响 |
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引用本文: | 余学功,杨德仁,马向阳,李红,阙端麟.氢气退火对大直径直拉硅单晶中空洞型缺陷的影响[J].半导体学报,2003,24(2). |
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作者姓名: | 余学功 杨德仁 马向阳 李红 阙端麟 |
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作者单位: | 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027 |
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摘 要: | 研究了氢退火对大直径直拉硅单晶中空洞型缺陷(voids)的影响.样品在1050~1200℃范围进行氢退火,退火前后样品上的流水花样缺陷(FPD)和晶体原生粒子(COP)在腐蚀后分别用微分干涉光学显微镜和激光记数器进行观察.实验结果表明在氢退火以后,FPD缺陷的密度随温度升高不变,而样品上的COP密度大量减少.分析可知,氢气退火仅仅消除了硅片表面的voids,而对于硅片体内的voids不产生影响,并在实验的基础上,讨论了氢退火消除voids的机理.
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关 键 词: | 氢退火 空洞型缺陷 氧外扩散 |
Effect of Hydrogen Annealing on Voids in arge-Diameter Czochralski Silicon |
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Abstract: | |
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Keywords: | |
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