| 不同AlGaN层厚度的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的静态特性 |
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| 引用本文： | 吴桐,郝智彪,唐广,郭文平,胡卉,孙长征,罗毅.不同AlGaN层厚度的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的静态特性[J].半导体学报,2003,24(11). |
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| 作者姓名： | 吴桐 郝智彪 唐广 郭文平 胡卉 孙长征 罗毅 |
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| 作者单位： | 清华大学电子工程系 集成光电子学国家重点实验室,北京 100084 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，清华大学校科研和教改项目 |
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| 摘 要： | 利用金属有机化合物气相外延技术研究了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)结构的外延生长及器件制作,重点比较了具有不同AlGaN层厚度的HEMT器件的静态特性.实验发现具有较薄AlGaN隔离层的结构表现出较好的器件特性.栅长为1μm的器件获得了650mA/mm的最大饱和电流密度和100mS/mm的最大跨导.
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| 关 键 词： | 高电子迁移率晶体管 氮化镓 功率器件 |
Static Characteristics of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors with Different Thickness of AlGaN Layer |
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| Wu Tong,HAO Zhibiao,Tang Guang,GUO Wenping,Hu Hui,Sun Changzheng,Luo Yi.Static Characteristics of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors with Different Thickness of AlGaN Layer[J].Chinese Journal of Semiconductors,2003,24(11). |
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| Authors: | Wu Tong HAO Zhibiao Tang Guang GUO Wenping Hu Hui Sun Changzheng Luo Yi |
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| Abstract: | The growth and device fabrication of AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) are carried out by using metal-organic vapor phase epitaxy (MOVPE) system.Specially the performances of HEMT devices with different thickness of AlGaN layer are compared.The device with thinner spacer layer exhibits better static performance.And a maximum saturation current density of 650mA/mm and a peak extrinsic transconductance of 100mS/mm are obtained from the devices with gate length of 1μm. |
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| Keywords: | HEMT GaN power devices |
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