侧向外延生长GaN的结构特性 |
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引用本文: | 张荣,顾书林,修向前,卢殿清,沈波,施毅,郑有炓,KUAN T S. 侧向外延生长GaN的结构特性[J]. 发光学报, 2001, 22(Z1): 53-56 |
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作者姓名: | 张荣 顾书林 修向前 卢殿清 沈波 施毅 郑有炓 KUAN T S |
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作者单位: | 1. 南京大学物理系, 2. Department of Physics State University of New York at Albany |
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基金项目: | 国家高技术研究发展计划(863计划),国家自然科学基金,20000683,69976014,69636010,69806006,69987001,, |
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摘 要: | 研究了在刻有图形的GaN"衬底”上用HVPE方法侧向外延生长(ELO)GaN的结构特性.在SiO2衬底上侧向外延生长GaN已经实现,并得到了平面的ELO GaN薄膜.采用扫描电子显微镜、透射电微镜和原子力显微镜技术研究了这种ELO GaN材料的结构和表面形貌.原子力显微镜图像表明:在ELO范围中的4μm2面积上不存在明显的阶状形貌.透射电子显微镜的观测表明在ELO范围内位错密度很低.在接合的界面上没观察到有空隙存在.但观测到晶格的弯曲高达3.3°,这被归因为由GaN层下的"籽层”和接合界面处的水平倾料和猝灭所产生的螺旋位错的积聚.
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关 键 词: | GaN 侧向外延生长 氢化汽相外延 |
文章编号: | 1000-7032(2001)增-0053-04 |
修稿时间: | 2001-01-05 |
Structural Properties of Laterally Overgrown GaN |
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Abstract: | |
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