| 应变层异质结ZnS/ZnSe、ZnS/ZnS_xSe_(1-x)和ZnSe/ZnS_xSe_(1-x)价带带阶的研究 |
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| 引用本文： | 蔡淑惠,王仁智,郑永梅,郑金成. 应变层异质结ZnS/ZnSe、ZnS/ZnS_xSe_(1-x)和ZnSe/ZnS_xSe_(1-x)价带带阶的研究[J]. 发光学报, 1998, 0(4) |
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| 作者姓名： | 蔡淑惠 王仁智 郑永梅 郑金成 |
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| 作者单位： | 厦门大学物理系 |
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| 基金项目： | 国家和福建省自然科学基金,国家教委博士点专项基金 |
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| 摘 要： | 采用基于原子球近似下线性Ｍｕｆｉｎ－Ｔｉｎ轨道（ＬＭＴＯ－ＡＳＡ）的平均键能计算方法，研究了以ＺｎＳｘＳｅ１－ｘ为衬底，沿（００１）方向外延生长的应变层异质结ＺｎＳ／ＺｎＳｅ、ＺｎＳ／ＺｎＳｘＳｅ１－ｘ和ＺｎＳｅ／ＺｎＳｘＳｅ１－ｘ的价带带阶值ΔＥｖ（ｘ）．研究表明，ΔＥｖ（ｘ）值随衬底合金组分ｘ单调变化．且两者的关系是非线性的．在此计算结果与其它理论计算和实验结果符合较好．
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| 关 键 词： | ZnS／ZnSe、ZnS／ZnS_xSe_(1－x)和ZnSe／ZnS_xSe_(1－x)异质结，价带带阶，平均键能 |
VALENCE BOND OFFSETS OF STRAINED HETEROJUNCTION ZnS/ZnSe, ZnS/ZnS x Se 1- x AND ZnSe/ZnS x Se 1- x |
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| Cai Shuhui Wang Renzhi Zheng Yongmei Zheng Jincheng. VALENCE BOND OFFSETS OF STRAINED HETEROJUNCTION ZnS/ZnSe, ZnS/ZnS x Se 1- x AND ZnSe/ZnS x Se 1- x[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1998, 0(4) |
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| Authors: | Cai Shuhui Wang Renzhi Zheng Yongmei Zheng Jincheng |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | heterojunction ZnS/ZnSe ZnS/ZnS x Se 1- x and ZnSe/ZnS x Se 1- x valence band offsets average bond energy |
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