| 典型阴离子杂质对KDP晶体电导特性的影响 |
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| 引用本文： | 丁建旭,张建芹,王圣来,牟晓明,许心光,顾庆天,孙云,刘文洁,刘光霞.典型阴离子杂质对KDP晶体电导特性的影响[J].人工晶体学报,2010,39(5):1089-1093. |
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| 作者姓名： | 丁建旭 张建芹 王圣来 牟晓明 许心光 顾庆天 孙云 刘文洁 刘光霞 |
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| 作者单位： | 山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100;中国兵器工业集团第53研究所,济南,250032;中国兵器工业第52研究所烟台分所,烟台,264003 |
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| 摘 要： | 针对KDP晶体生长过程中常出现的SO2-4,NO-3和Cl-杂质,采用传统法和快速法掺杂生长了一系列KDP晶体,研究了不同阴离子杂质掺杂对KDP晶体X和Z向的电导率的影响.结果表明,X向的电导率比Z向电导率高;未掺杂时,快速生长的KDP晶体比传统法生长的KDP晶体具有更高的电导率; SO2-4的掺杂增大了晶体在两个方向的电导率,且随着掺杂浓度的增加,晶体的电导率也相应增大;NO-3和Cl-对KDP晶体的电导率影响不大.分析认为,快速生长的KDP晶体具有更高的缺陷浓度,从而增大了晶体的电导率;SO2-4具有与PO3-4结构的相似性,从而能够取代部分PO3-4进入晶格,从而产生H+空位.H+空位的定向移动能增大晶体的电导率.而NO-3和Cl-与PO3-4结构差异较大,很难取代进入PO3-4晶格,因此NO-3和Cl-对KDP晶体的电导率影响不大.
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| 关 键 词： | KDP 电导率 晶体缺陷 掺杂 |
Effect of Typical Anionic Impurity on Electrical Conductivity of KDP Crystal |
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| DING Jian-xu,ZHANG Jian-qin,WANG Sheng-lai,MU Xiao-ming,XU Xin-guang,GU Qing-tian,SUN Yun,LIU Wen-jie,LIU Guang-xia.Effect of Typical Anionic Impurity on Electrical Conductivity of KDP Crystal[J].Journal of Synthetic Crystals,2010,39(5):1089-1093. |
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| Authors: | DING Jian-xu ZHANG Jian-qin WANG Sheng-lai MU Xiao-ming XU Xin-guang GU Qing-tian SUN Yun LIU Wen-jie LIU Guang-xia |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | KDP |
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