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DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
X光CCD响应特性研究
作者姓名:
杨家敏
丁耀南
曹磊峰
丁永坤
王耀梅
张文海
郑志坚
崔明启
朱佩平
赵屹东
黎刚
作者单位:
1.中国工程物理研究院核物理与化学研究所,四川省绵阳市919-216信箱,621900;2.中国科学院北京高能物理研究所同步辐射实验室,北京918信箱,100039
摘 要:
在北京同步辐射源上建立了X光CCD(Charge-Coupled Device)量子效率实验标定方法,获得了150eV至1500eV能区范围多个X光能点的量子效率实验结果,发展了X光CCD量子效率简化计算模型,并对X光CCD表面油沾污对量子效率的影响进行了实验研究和修正。结果表明经过油沾污修正后的简化理论模型计算结果与实验标定结果符合较好。
关 键 词:
X光CCD
量子效率
实验标定
收稿时间:
1900-01-01;
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