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| 用于薄膜太阳能电池的非晶硅锗制备与性能研究 | |
| 作者姓名： | 程碧胜 雷青松 徐静平 薛俊明 |
| 作者单位： | 华中科技大学光学与电子信息学院,武汉,430074;华中科技大学光学与电子信息学院,武汉430074;河北汉盛光电科技有限公司,衡水053000;河北汉盛光电科技有限公司,衡水,053000 |
| 摘 要： | 利用射频等离子体增强化学气相沉积工艺(RF-PECVD)制备非晶硅锗薄膜,研究氢稀释率和衬底温度对薄膜光电性能的影响.通过二者的优化制备出光学带隙1.5 eV、光敏性6×104的高质量非晶硅锗薄膜.在此基础上制备出效率为6.65;的非晶硅锗(a-SiGe∶H)单结太阳能电池. |
| 关 键 词： | 非晶硅锗 氢稀释率 衬底温度 太阳能电池, |
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