| 衬底温度对MOCVD-ZnO薄膜特性的影响 |
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| 引用本文： | 孙小虎,雷青松,曾祥斌,薛俊明,鞠洪超,陈阳洋.衬底温度对MOCVD-ZnO薄膜特性的影响[J].人工晶体学报,2012,41(6):1494-1497. |
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| 作者姓名： | 孙小虎 雷青松 曾祥斌 薛俊明 鞠洪超 陈阳洋 |
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| 作者单位： | 华中科技大学电子科学与技术系,武汉,430074;河北汉盛光电科技有限公司,衡水,053000 |
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| 摘 要： | 利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长技术,制备本征ZnO薄膜,并研究薄膜的结构、形貌及光电等性能.结果表明:衬底温度对ZnO薄膜的微观结构、电学、光学及表面形貌等有显著影响.在衬底温度为180℃时获得电阻率为2.17×10-2Ω·cm.平均透过率为85;的低电阻、高透过率、结晶质量高、表面呈绒面结构的本征ZnO薄膜.对本征ZnO薄膜进一步掺杂和结构优化有望用于硅薄膜太阳能电池的前电极.
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| 关 键 词： | MOCVD 绒面ZnO薄膜 衬底温度 太阳电池 |
Influence of Substrate Temperature on the Properties of ZnO Thin Films Grown by MOCVD Technique |
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| SUN Xiao-hu
,
LEI Qing-song
,
ZENG Xiang-bin
,
XUE Jun-ming
,
JU Hong-chao
,
CHEN Yang-yang.Influence of Substrate Temperature on the Properties of ZnO Thin Films Grown by MOCVD Technique[J].Journal of Synthetic Crystals,2012,41(6):1494-1497. |
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| Authors: | SUN Xiao-hu LEI Qing-song ZENG Xiang-bin XUE Jun-ming JU Hong-chao CHEN Yang-yang |
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| Institution: | 1(1.Department of Electronic Science and Technology,Huazhong University of Science and Technology,Wuhan 430074,China; 2.Hisun PV TECH,Hengshui 053000,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | |
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