| 含Ni-Nb阻挡层的硅基Pb(Zr0.4,Ti0.6)O3电容器的制备及铁电性能研究 |
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| 引用本文： | 赵庆勋,齐晨光,贾冬梅,付跃举,郭建新,刘保亭.含Ni-Nb阻挡层的硅基Pb(Zr0.4,Ti0.6)O3电容器的制备及铁电性能研究[J].人工晶体学报,2013(2):282-285. |
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| 作者姓名： | 赵庆勋 齐晨光 贾冬梅 付跃举 郭建新 刘保亭 |
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| 作者单位： | 河北大学物理科学与技术学院 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(11074063);河北省应用基础研究计划重点项目(10963525D);高等学校博士点基金(20091301110002);河北省自然科学基金(E2011201092) |
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| 摘 要： | 采用Ni-Nb薄膜作为导电阻挡层,以La0.5Sr0.5CoO3(LSCO)为底电极,构建了LSCO/Pb(Zr0.4,Ti0.6)O3(PZT)/LSCO异质结电容器。使用X射线衍射仪和铁电测试仪对其进行结构表征和性能测试。实验发现:Ni-Nb薄膜为非晶结构,PZT薄膜结晶状况良好。LSCO/PZT/LSCO电容器在5 V外加电压测试下,电滞回线具有良好的饱和趋势,剩余极化强度Pr为35.5μC/cm2,矫顽电压Vc为1.42 V,电容器具有良好的抗疲劳特性和保持特性。
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| 关 键 词： | Ni-Nb阻挡层 Pb(Zr0.4 Ti0.6)O3 La0.5Sr0.5CoO3 |
Preparation and Ferroelectric Properties of Si-based Pb(Zr0.4,Ti0.6)O3 Capacitor Using Ni-Nb as the Barrier Layer |
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| ZHAO Qing-xun,QI Chen-guang,JIA Dong-mei,FU Yue-ju,GUO Jian-xin,LIU Bao-ting.Preparation and Ferroelectric Properties of Si-based Pb(Zr0.4,Ti0.6)O3 Capacitor Using Ni-Nb as the Barrier Layer[J].Journal of Synthetic Crystals,2013(2):282-285. |
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| Authors: | ZHAO Qing-xun QI Chen-guang JIA Dong-mei FU Yue-ju GUO Jian-xin LIU Bao-ting |
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| Institution: | (College of Physics Science and Technology,Hebei University,Baoding 071002,China) |
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