| In0.3Co4Sb12-xSex 方钴矿热电材料的制备和热电性能 |
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| 作者姓名： | 王作成 李涵 苏贤礼 唐新峰 |
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| 作者单位： | 武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,武汉 430070 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(批准号:2007CB607501)、国家自然科学基金重点项目(批准号:50731006,50672118)、国家111计划(批准号:B07040)、国家高技术研究发展计划(批准号:2008lg0011)和中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:2010-IV-046)资助的课题. |
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| 摘 要： | 用熔融退火结合放电等离子烧结法制备了In0.3Co4Sb12-xSex(x=0—0.3)方钴矿热电材料,探讨了In的存在形式,系统研究了Se掺杂量对结构和热电性能的影响.结果表明:In可以填充到方钴矿二十面体空洞处,过量In在晶界处形成InSb第二相,Se对Sb的置换使晶格常数减小,In填充上限降低;In0.3Co4Sb12-xSex样品呈n型传导,随着Se掺杂量的增大,载流子浓度降低,电导率下降,Seebeck系数增大,功率因子有所降低;由于在结构中引入了质量波动及晶格畸变,适量的Se掺杂可以大幅降低材料晶格热导率;样品In0.3Co4Sb12和In0.3Co4Sb11.95Se0.05的最大ZT值均达到1.0以上.
关键词：
掺杂
填充式方钴矿
热电性能
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| 关 键 词： | 掺杂 填充式方钴矿 热电性能 |
| 收稿时间： | 2010-04-20 |
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