光—化学汽相沉积低温生长二氧化硅膜

用低压汞灯照射氧气和甲硅烷来制备二氧化硅膜。沉积速度随紫外辐射量增加,而活化能降低到0.22eV。254nm光对沉积的作用很小。沉积膜的折射率为1.44～1.46。在光—化学汽相沉积膜中没有出现与Si-H键有关的红外吸收峰值。