| X射线在Au-SiO_2界面剂量增强系数与Au厚度关系的模拟研究北大核心CSCD |
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| 引用本文： | 张建芳特木尔巴根.X射线在Au-SiO_2界面剂量增强系数与Au厚度关系的模拟研究北大核心CSCD[J].固体电子学研究与进展,2013(5):425-427. |
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| 作者姓名： | 张建芳特木尔巴根 |
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| 作者单位： | 1.内蒙古民族大学物理与电子信息学院028043; |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(11265009)；内蒙古民族大学科学研究基金资助项目(NMD1218) |
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| 摘 要： | 用蒙特卡罗（MonteCarlo）方法计算Au—SiOz界面的剂量增强系数（DEF）随能量的变化关系及不同厚度的Au对Au—SiOz界面剂量增强系数的影响。结果表明：界面下的DEF与Au的厚度有关，当Au厚度从1gm增加到9tam，DEF随之增大；当Au厚度超过9tam，随Au厚度增加DEF减小。当x射线能量为10～250keV时，界面附近SiO。一侧存在不同程度的剂量增强，而且在整个能量范围内出现了两个明显的峰值，其中剂量增强系数最大值达40．4。
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| 关 键 词： | X射线 半导体 蒙特卡罗方法 界面 剂量增强 |
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