| 坩埚下降法生长白宝石晶体的研究 |
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| 引用本文： | 邹蒙,范志达,李楠,徐川,黄朝恩. 坩埚下降法生长白宝石晶体的研究[J]. 人工晶体学报, 2000, 29(1): 42-44 |
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| 作者姓名： | 邹蒙 范志达 李楠 徐川 黄朝恩 |
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| 作者单位： | 人工晶体研究所,北京,100018 |
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| 摘 要： | 本文报道了坩埚下降法生长大尺寸白宝石单晶.我们使用大尺寸异型钼坩埚,高纯氧化铝原料,在中性气氛下,结晶区温度梯度为25～30℃/cm,生长速度为0.8～1.8mm/h,生长方向选C面[0001]取向,成功生长出直径80mm,高度90mm的完整透明的白宝石单晶,在300～5500nm范围内,其光学透过率均在80;以上.实验中采用高性能保温材料使生长过程所需加热功率由20kW下降到15kW,能耗降低达25;;采用双回路加热系统,提高温场稳定性,缩短晶体生长周期.晶体的主要缺陷为顶部(生长后期)出现有5～10mm淡黄色色带(经在氧化性气氛中退火后已消除)和底部有细丝状条纹.
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| 关 键 词： | 布里奇曼法 双回路加热系统 白宝石单晶, |
| 文章编号： | 1000-985X(2000)01-0009-03 |
| 修稿时间： | 1999-09-03 |
Investigation on Growth of Sapphire Crystals by Vertical Bridgman Technique |
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| ZHOU Meng,FAN Zhi-da,LI Nan,XU Chuan,HUANG Chao-en. Investigation on Growth of Sapphire Crystals by Vertical Bridgman Technique[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2000, 29(1): 42-44 |
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| Authors: | ZHOU Meng FAN Zhi-da LI Nan XU Chuan HUANG Chao-en |
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