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非平衡状态下半导体方程解在H1中的收敛
引用本文:许立炜.非平衡状态下半导体方程解在H1中的收敛[J].应用数学学报,2002,25(2):312-317.
作者姓名:许立炜
作者单位:南京邮电学院应用数理系,南京,210003
摘    要:本文研究具有Dirichlet边界条件的稳态半导体模型,在净复合率R≠0时,对N维半导体方程,论证了奇异摄动问题的解在H^1中弱收敛于退化问题的解;对一维半导体模型,进一步证明了解在H^1中强收敛。

关 键 词:半导体方程    收敛  非线性偏微分方程  奇异摄动  渐近性态

CONVERGENCE IN H1 OF UNEQUILIBRIUM SOLUTIONS FOR THE STEADY STATE SEMICONDUCTOR DEVICE EQUATIONS
XU LIWEI.CONVERGENCE IN H1 OF UNEQUILIBRIUM SOLUTIONS FOR THE STEADY STATE SEMICONDUCTOR DEVICE EQUATIONS[J].Acta Mathematicae Applicatae Sinica,2002,25(2):312-317.
Authors:XU LIWEI
Abstract:
Keywords:Nonlinear partial differential equations  singular perturbation  asymptotic behaviour
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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