| 阴极荧光联合分析系统在Ⅲ族氮化物研究中的应用 |
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| 引用本文： | 赵红,张荣,谢自力,刘斌,修向前,陆海,李亮,刘战辉,江若琏,韩平,郑有炓.阴极荧光联合分析系统在Ⅲ族氮化物研究中的应用[J].半导体学报,2008,29(6). |
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| 作者姓名： | 赵红 张荣 谢自力 刘斌 修向前 陆海 李亮 刘战辉 江若琏 韩平 郑有炓 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)
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国家高技术研究发展计划(863计划)
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国家自然科学基金
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教育部高等学校博士学科点专项科研基金 |
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| 摘 要： | 利用高性能阴极荧光(CL)联合分析系统对几类典型的Ⅲ族氮化物材料进行测试分析.在光谱研究中,利用CL紫外町见光谱系统,对c面蓝宝石衬底上生长的AlxGa1-xN薄膜进行阴极荧光单色谱测试分析,揭示了CL的激发强度与发光带之间的变化关系.进一步研究了掺Mg的Al0.5Ga0.5N薄膜的带边和杂质能级发光机理.利用CL近红外光谱系统对InN薄膜的阴极发光特性进行了研究,验证了InN实际光学带边E8在0.77eV附近.利用微区分析(CL mapping)系统,可在紫外波段确切地给出材料不同波长的荧光发光区这一特点,对HVPE生长的自支撑GaN衬底进行了SEM和CL微区的对比分析,研究了GaN的位错类型和分布.
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| 关 键 词： | 阴极荧光联合分析系统 Ⅲ族氮化物 阴极荧光特性 |
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