| 低噪声高单位增益带宽双极型运放设计 |
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| 引用本文： | 倪雪梅,成立,杨宁,严鸣,凌新,周洋. 低噪声高单位增益带宽双极型运放设计[J]. 半导体技术, 2010, 35(4): 388-392. DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.04.022 |
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| 作者姓名： | 倪雪梅 成立 杨宁 严鸣 凌新 周洋 |
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| 作者单位： | 江苏大学电气与信息工程学院,江苏镇江,212013;镇江市312,国道管理站,江苏镇江212001 |
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| 基金项目： | 国家“863”计划项目(2006AA10Z258) |
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| 摘 要： | 设计了一款低噪声、高单位增益带宽的运放电路。该款电路基于0.25μm SiGe双极工艺,采用三级级联的形式,输入级选取多个双极型晶体管(BJT)并联,用作差分对管,以抑制噪声;中间级不但用pnp型BJT镜像电流源作为有源负载,而且并联多个横向pnp型BJT用以提升单位增益带宽;输出级则设计成低电容输入和低电容输出方式,借此拓展带宽。对所设计的运放电路进行了PSPICE仿真及硬件电路实验。结果表明,当电源电压为2.5 V时,运放电路的实测交流开环电压增益为80 dB,开环相位裕度为61.5°,单位增益带宽为203 MHz,在10 kHz处的输入电压噪声密度仅为1.2 nV/Hz~(1/Hz),因而可用于低噪声、高单位增益带宽的片上相位噪声测量电路和微波功率传感器等系统的设计中。
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| 关 键 词： | 锗硅 双极型晶体管 三级级联运算放大器 低噪声 高单位增益带宽 |
Design of a Low Noise and High Unity-Gain-Bandwidth Bipolar Operational Amplifier |
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| Ni Xuemei,Cheng Li,Yang Ning,Yan Ming,Ling Xin,Zhou Yang. Design of a Low Noise and High Unity-Gain-Bandwidth Bipolar Operational Amplifier[J]. Semiconductor Technology, 2010, 35(4): 388-392. DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.04.022 |
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| Authors: | Ni Xuemei Cheng Li Yang Ning Yan Ming Ling Xin Zhou Yang |
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| Affiliation: | 1.Institute of Electricity and Information;Jiangsu University;Zhenjiang 212013;China;2.Zhenjiang 312 National Road Station;Zhenjiang 212001;China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SiGe BJT three stage operational amplifier low-noise high unity-gain-bandwidth |
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