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具有调制分布复合中心的非晶半导体超晶格中载流子的弛豫过程
引用本文:熊诗杰.具有调制分布复合中心的非晶半导体超晶格中载流子的弛豫过程[J].物理学报,1986,35(12):1624-1633.
作者姓名:熊诗杰
作者单位:南京大学物理系固体物理研究所
摘    要:本文提出一种具有调制分布的复合中心的连续时间无规行走(以下称CTRW)模型,用以求解非晶半导体超晶格中载流子被复合的动力学过程。对不同类型的时间分布函数,我们得到了载流子的存活几率,从中可以分析周期型势阱和调制型掺杂等因素对这种材料的宏观输运性质的影响。 关键词

收稿时间:1986-03-21

RELAXATION PROCESSES OF CARRIERS IN AMORPHOUS SEMICONDUCTOR SUPERLATTICES WITH MODULATEDLY DISTRIBUTED RECOMBINATION CENTERS
XIONG SHI-JIE.RELAXATION PROCESSES OF CARRIERS IN AMORPHOUS SEMICONDUCTOR SUPERLATTICES WITH MODULATEDLY DISTRIBUTED RECOMBINATION CENTERS[J].Acta Physica Sinica,1986,35(12):1624-1633.
Authors:XIONG SHI-JIE
Abstract:We propose a continuous-time-random-walk model for a medium with moduiatedly distributed recombination centers to describe dynamical recombination processes of carriers in amorphous semiconductor superlattices. The survival probabilities of carriers are obtained in cases of different types of time distribution functions. Analysis of the results yields informations on the influences of the periodic potential wells and of the modulated doping on the macroscopic transport properties in this kind of artificial materials.
Keywords:
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