| 电场辅助铝诱导晶化非晶硅薄膜 |
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| 引用本文： | 夏冬林,王慧芳,石正忠,张兴良,李蔚.电场辅助铝诱导晶化非晶硅薄膜[J].人工晶体学报,2010,39(4). |
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| 作者姓名： | 夏冬林 王慧芳 石正忠 张兴良 李蔚 |
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| 作者单位： | 武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室,武汉,430070 |
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| 基金项目： | 材料复合新技术国家重点实验室(武汉理工大学)开放基金，武汉市科技攻关项目 |
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| 摘 要： | 以氢气稀释的硅烷和氢气为反应气体,利用PECVD法先在玻璃衬底上生长非晶硅薄膜,然后利用磁控溅射法在非晶硅薄膜上镀制铝膜,最后将镀有铝膜的非晶硅薄膜样品置于快速热处理炉中,在外加电场辅助条件下,在氮气气氛下对薄膜样品进行退火制备多晶硅薄膜。本论文研究了不同外加电场强度和退火时间对非晶硅薄膜晶化的影响。利用XRD、SEM和Raman等测试方法对薄膜样品的晶相结构、表面形貌和晶化程度进行了表征。实验结果表明,在外加横向电场辅助铝诱导晶化的条件下,非晶硅薄膜在500℃低温下成功地转化成多晶硅薄膜,并且随着横向电场强度的增大以及退火时间的延长,薄膜的晶化程度增强,晶粒尺寸增大。
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| 关 键 词： | 非晶硅薄膜 多晶硅薄膜 金属诱导晶化 等离子体增强化学气相沉积 |
Electric Field Aided Al-induced Crystallization of Amorphous Silicon Thin Film |
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| XIA Dong-lin,WANG Hui-fang,SHI Zheng-zhong,ZHANG Xing-liang,LI Wei.Electric Field Aided Al-induced Crystallization of Amorphous Silicon Thin Film[J].Journal of Synthetic Crystals,2010,39(4). |
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| Authors: | XIA Dong-lin WANG Hui-fang SHI Zheng-zhong ZHANG Xing-liang LI Wei |
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