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光敏三极管响应速度与器件结构参数的关系
引用本文:陈炳若,余波,朱小兵.光敏三极管响应速度与器件结构参数的关系[J].半导体光电,2000,21(1):59-61,65.
作者姓名:陈炳若  余波  朱小兵
作者单位:武汉大学物理系!武汉430072
摘    要:对影响光敏三极管光电响应速度的器件结构进行了理论和计算机数值分析。结果表明 ,与基极电阻和电流增益相关的基区宽度是器件优化设计的重点之一。实验结果与分析结果较好一致。选用合适的基区宽度并采取其他措施 ,可使光敏三极管的响应时间降至 0 .6 μs以下。

关 键 词:光敏三极管  光电响应速度  结构参数

Dependence of Response Speed on Structure Parameters of Phototransistors
CHEN Bing ruo,YU Bo,ZHU Xiao bing.Dependence of Response Speed on Structure Parameters of Phototransistors[J].Semiconductor Optoelectronics,2000,21(1):59-61,65.
Authors:CHEN Bing ruo  YU Bo  ZHU Xiao bing
Abstract:
Keywords:phototransistor  photoelectric response speed  structure parameters  optimum design
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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