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| 钆镓石榴石单晶中的缺陷 | |
| 引用本文： | 刘琳,张志友.钆镓石榴石单晶中的缺陷[J].物理,1980(2). |
| 作者姓名： | 刘琳 张志友 |
| 作者单位： | 中国科学院物理研究所 (刘琳)，中国科学院物理研究所(张志友) |
| 摘 要： | 一、引 言 做磁泡材料基片用的钆镓石榴石单晶(即Gd3Ga5O12,简写为GGG),要求有很高的完整性.GGG晶体中的缺陷,特别是露在晶片表面的缺陷,会影响外延磁性膜的质量.在外延膜中形成钉扎,阻碍磁泡运动.GGG晶体中发现的主要缺陷有包裹物、核心、生长条纹和位错.为了得到完整性好的晶体,观察和研究这些缺陷。找出消除这些缺陷的规律,就显得十分必要了. 二、实验方法 在需要检查的晶体部位。切取1.8—2.0mm厚的薄片,经研磨、抛光和超声清洗三道工序后,样品厚度约为1.2mm.这种抛光的片子就可在偏光显微镜下观察包裹物和核心两种缺陷.若要观察位… |
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