| 掺铌钨酸铅晶体缺陷的理论研究 |
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| 作者姓名： | 刘峰松 顾牡 姚明珍 梁玲 |
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| 作者单位： | 同济大学物理系,上海,200092 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 (No .197740 43 )，教育部高等学校优秀青年教师教学科研奖励计划 (教人司 ( 2 0 0 2 ) 12 3 )，上海市教育委员会重点学科研究项目，曙光计划 (No .0 2SG19)，青年教师项目 (No .0 1QN18)资助 |
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| 摘 要： | 采用基于相对论性密度泛函理论的离散变分和嵌入团簇方法计算了PbWO4∶Nb晶体中Nb缺陷态的态密度分布和能量,并运用过渡态方法计算了其激发能.通过计算掺Nb缺陷态电子态密度分布,发现与VO相关的F+心是晶体掺Nb的主要补偿机制.(NbO3+F+)2-缺陷在掺铌钨酸铅晶体各相关缺陷形式中存在所需能量最低.计算结果表明VO有关的F+的存在是有效消除晶体中350nm吸收的主要原因.而F+→W5d轨道的跃迁能量为2.8eV,对应晶体中420nm吸收.
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| 关 键 词： | PbWO4晶体 密度泛函 掺铌晶体 态密度, |
| 文章编号： | 1000-985X(2003)03-0218-06 |
| 修稿时间： | 2002-10-30 |
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