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| 硅中退火多边化 | |
| 引用本文： | 王贵华,刘振茂.硅中退火多边化[J].物理学报,1966,22(4):412-422. |
| 作者姓名： | 王贵华 刘振茂 |
| 作者单位： | 哈尔滨工业大学;哈尔滨工业大学 |
| 摘 要： | 用化学侵蚀法对硅单晶中的退火多边化进行了实验研究。研究了多边化过程及其与退火温度的关系。根据实验数据求出硅中位错攀移激活能,发现形变时产生双滑移系退火而不形成多边化墙的主要原因,并非由于形成Lomer-Cottrell位错。 |
| 收稿时间： | 1965-01-18 |
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| Keywords: | |
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