| Si被注入Gd后的磁性及其整流特性的研究 |
| |
| 引用本文： | 周剑平,陈诺夫,宋书林,柴春林,杨少延,刘志凯,林兰英. Si被注入Gd后的磁性及其整流特性的研究[J]. 物理学报, 2003, 52(6): 1469-1473 |
| |
| 作者姓名： | 周剑平 陈诺夫 宋书林 柴春林 杨少延 刘志凯 林兰英 |
| |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室，北京 100083 |
| |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展项目(批准号：G20000365，G20000683)和国家自然科学基金(批准号 ：60176001)资助的课题. |
| |
| 摘 要： | 采用离子束技术，在n型硅基片中注入稀土元素钆，制备了磁性-非磁性p-n结.磁性层GdxSi1-x表现出优良的磁学性能，高居里温度，高原子磁矩(利用RKKY模 型 可以得到解释)，低矫顽力，并保持着半导体的属性，磁性-非磁性p-n结具有整流特性，但 没有观察到明显的磁电阻效应.关键词：磁性半导体磁性p-n结钆的硅化物离子束外延
|
| 关 键 词： | 磁性半导体 磁性p-n结 钆的硅化物 离子束外延 |
| 文章编号： | 1000-3290/2003/52(06)/1469-05 |
| 收稿时间： | 2002-06-20 |
| 修稿时间： | 2002-06-20 |
Magnetic properties and rectifying behaviour of silicon doped with gadolinium |
| |
| Zhou Jian-Ping,Chen Nuo-Fu,Song Shu-Lin,Chai Chun-Lin,Yang Shao-Yan,Liu Zhi-Kai and Lin Lan-Ying. Magnetic properties and rectifying behaviour of silicon doped with gadolinium[J]. Acta Physica Sinica, 2003, 52(6): 1469-1473 |
| |
| Authors: | Zhou Jian-Ping Chen Nuo-Fu Song Shu-Lin Chai Chun-Lin Yang Shao-Yan Liu Zhi-Kai Lin Lan-Ying |
| |
| Abstract: | The magnetic/nonmagnetic p-n junction was prepared by implanting gadolinium into the n-type silicon with low-energy dual-ion-beam epitaxy technology.The magnet ic layer GdxSi1-x shows excellent magnetic properties at r oom temperature. High magnetic moment 10μB per Gd atom is observed, which is interpreted by RKKY mechanism. Magnetic/nonmagnetic p-n junctions show rectifying behaviour, but no magnetoresistance is observed. |
| |
| Keywords: | magnetic semiconductor magnetic p-n junction ion beam epitaxy gad olinium silicides |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《物理学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《物理学报》下载免费的PDF全文 |
