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微波功率双极晶体管热分布的二维数值模拟及功率密度非均匀设计
引用本文:蔡勇,张利春,高玉芝,叶红飞北京大学微电子学研究所,金海岩,张树丹.微波功率双极晶体管热分布的二维数值模拟及功率密度非均匀设计[J].半导体学报,2003,24(2):209-215.
作者姓名:蔡勇  张利春  高玉芝  叶红飞北京大学微电子学研究所  金海岩  张树丹
作者单位:北京大学微电子学研究所,北京大学微电子学研究所,北京大学微电子学研究所,北京大学微电子学研究所,南京电子器件研究所 北京100871,北京100871,北京100871,北京100871,北京100871,南京210016
摘    要:利用双极晶体管的热电耦合模型对微波功率双极晶体管进行了二维直流稳态模拟 ,并且提出了功率密度非均匀的设计方法 .模拟和实验的结果说明 ,采用微波功率晶体管功率密度非均匀设计可有效提高器件电流密度的均匀性和结温的均匀性 ,从而整体提高器件的可靠性.

关 键 词:功率晶体管    数值模拟    功率密度非均匀设计    温度分布
文章编号:0253-4177(2003)02-0209-07
修稿时间:2002年4月25日

2-D Thermal Numeric Simulation of Microwave Power Bipolar Transistor and Nonuniform Power Density Design
Cai Yong ,Zhang Lichun ,Gao Yuzhi ,Ye Hongfei ,Jin Haiyan and Zhang Shudan.2-D Thermal Numeric Simulation of Microwave Power Bipolar Transistor and Nonuniform Power Density Design[J].Chinese Journal of Semiconductors,2003,24(2):209-215.
Authors:Cai Yong  Zhang Lichun  Gao Yuzhi  Ye Hongfei  Jin Haiyan and Zhang Shudan
Institution:Cai Yong 1,Zhang Lichun 1,Gao Yuzhi 1,Ye Hongfei 1,Jin Haiyan 1 and Zhang Shudan 2
Abstract:By the thermal electronic coupled model,2 D temperature distribution of microwave power bipolar transistor which is steady state biased is numerically simulated.Nonuniform power density design technique is presented.The results of simulations and experiments show that power density nonuniformly designed transistor has better thermal and current uniformity than that of normal transistor.Hence nonuniform power density design technique can improve the reliability of microwave power bipolar transistor.
Keywords:power transistor  numeric simulation  nonuniform power density design  temperature distribution
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