1.2~1.4GHz 600W硅LDMOS微波功率晶体管研制北大核心CSCD |
| |
引用本文: | 应贤炜王建浩王佃利刘洪军严德圣顾晓春.1.2~1.4GHz 600W硅LDMOS微波功率晶体管研制北大核心CSCD[J].固体电子学研究与进展,2016(3):207-212. |
| |
作者姓名: | 应贤炜王建浩王佃利刘洪军严德圣顾晓春 |
| |
作者单位: | 1.南京电子器件研究所210016; |
| |
摘 要: | 针对雷达、通信、遥控遥测等领域对LDMOS大功率器件的迫切需求,基于南京电子器件研究所LDMOS技术平台,优化了版图布局、芯片结构,开发了50VL波段600 W硅LDMOS。该器件耐压大于115V,在50V工作电压、1.2~1.4GHz工作频率、300μs脉宽,10%占空比及15 W输入功率的工作条件下,输出功率大于630 W,增益大于16.3dB,漏极效率大于53.1%。所研制的芯片已进入相关工程应用。
|
关 键 词: | 硅横向扩散金属-氧化物-半导体 L波段 微波功率晶体管 |
本文献已被 维普 等数据库收录! |
|