在曲面钼片上汽相沉积多晶GaP

在超高真空中,用铯激活Gap形成的负电子亲和势发射体Gap—Cs,这是一种优良的新型电子倍增材料。它的二次电子发射系数高,且二次电子的发射系数随一次电子能量的增加而增高。当一次电子能量为600V时,单晶Gap—Cs的二次电子发射系统δ=30～50,普通BeO、Mg—Ag合金等材料的二次电子发射系数δ通常只有3—6。若用Gap—Cs作光电倍增管的培增极,则这种管子便具有增益高,暗电流低噪声小;能提高响应速度和改进时间分弁率等特点。解决了微弱光的探测问题。可广泛用于闪烁计数、激光测距高能物理等科学领域。