| 基于电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积技术生长GaMnN稀磁半导体的研究 |
| |
| 引用本文： | 王叶安,秦福文,吴东江,吴爱民,徐 茵,顾 彪.基于电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积技术生长GaMnN稀磁半导体的研究[J].中国物理 B,2008,17(1):508-513. |
| |
| 作者姓名： | 王叶安 秦福文 吴东江 吴爱民 徐 茵 顾 彪 |
| |
| 作者单位： | 大连理工大学三束材料改性国家重点实验室，大连 116024;大连理工大学三束材料改性国家重点实验室，大连 116024;大连理工大学机械工程学院，大连 116024;大连理工大学三束材料改性国家重点实验室，大连 116024;大连理工大学三束材料改性国家重点实验室，大连 116024;大连理工大学三束材料改性国家重点实验室，大连 116024 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号：60476008)资助的课题. |
| |
| 摘 要： | 利用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积 (ECR-PEMOCVD)方法，采用二茂锰(Cp2Mn)作为Mn源，高纯氮气作为氮源，三乙基镓(TEGa)作为Ga源，在蓝宝石(α-Al2O3)(0001)衬底上外延生长GaMnN稀磁半导体薄膜.反射高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)表征了GaMnN薄膜的晶体结构和表面形貌.GaMnN薄膜均表现出良好的(0002)择优取向，表明制备的薄膜倾向于
|
| 关 键 词： | GaMnN薄膜， 稀磁半导体， 铁磁性， 居里温度 |
| 修稿时间： | 6/1/2007 12:00:00 AM |
Analysis of diluted magnetic semiconductor GaMnN grown by electron cyclotron resonance-plasma enhanced metal organic chemical vapor deposition |
| |
| Wang Ye-An,Qin Fu-Wen,Wu Dong-Jiang,Wu Ai-Min,Xu Yin and Gu Biao.Analysis of diluted magnetic semiconductor GaMnN grown by electron cyclotron resonance-plasma enhanced metal organic chemical vapor deposition[J].Chinese Physics B,2008,17(1):508-513. |
| |
| Authors: | Wang Ye-An Qin Fu-Wen Wu Dong-Jiang Wu Ai-Min Xu Yin and Gu Biao |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | GaMnN film diluted magnetic semiconductor ferromagnetism Cruie temperature |
|
| 点击此处可从《中国物理 B》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《中国物理 B》下载免费的PDF全文 |
