| Al_xGa_(1-x)As-GaAs多层量子阱结构的流体静压光荧光研究 |
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| 引用本文： | 赵学恕,李国华,韩和相,汪兆平,陈宗圭,孙殿照,孔梅影,唐汝明,王丽君.Al_xGa_(1-x)As-GaAs多层量子阱结构的流体静压光荧光研究[J].半导体学报,1986,7(5):453-460. |
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| 作者姓名： | 赵学恕 李国华 韩和相 汪兆平 陈宗圭 孙殿照 孔梅影 唐汝明 王丽君 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所
(赵学恕，李国华，韩和相，汪兆平，陈宗圭，孙殿照，孔梅影)，中国科学院物理研究所
(唐汝明)，中国科学院物理研究所(王丽君) |
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| 摘 要： | 本文对Al_xGa_(1-x)As-GaAs多层量子阱结构的子带间跃迁能的压力关系做了77K低温下的光荧光光谱研究.实验结果表明,未掺杂的量子阱的非本征发光主要来自缺陷的束缚激子d~ox.d~ox束缚激子态在量子阱中的压力系数(5meV/kbar)与体材料中的压力系数(2.7meV/kbar)的比较表明,在量子阱中深中心发生了浅化.通过对不同子带间跃迁能的压力关系测量给出了GaAs Γ谷相应能量点的压力系数,结果表明Γ谷并不是以同一压力系数移动的刚性球.最后测量了量子阱的发光强度随压力的变化.
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