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Ga2Asn离子团簇结构及其光电子能谱研究
引用本文:马德明,施卫,李恩玲,侯利平,戴元滨.Ga2Asn离子团簇结构及其光电子能谱研究[J].光学学报,2009,29(4).
作者姓名:马德明  施卫  李恩玲  侯利平  戴元滨
作者单位:西安理工大学理学院,陕西,西安,710048
基金项目:国家重点基础研究发展规划(973计划),国家自然科学基金,西安理工大学创新基金 
摘    要:利用密度泛函理论中B3LYP方法,在6-311G(d)基组上对Ga2Asn(n=1-5)阴阳离子团簇的几何结构和光电子能谱进行了系统研究.结果得到了各团簇的最稳定结构,在(Ga:Asn(n=1-5)阴阳离子团簇中,稳定性随着总原子数的增大而呈奇偶变化规律,对于(GaAsn-团簇,总原子数为奇数的团簇比原子数为偶数的团簇稳定;对于GazAsn团簇,总原子数为偶数的团簇比原子数为奇数的团簇稳定.团簇的最高占据轨道(HOMO)和最低空轨道(LUMO)能级之间的能隙差随As原子数的增大而呈现奇偶交替变化规律,当As原子数为偶数时,中性团簇及其阴阳离子团簇的基本相同,当As原子数为奇数时,它们差异较大.

关 键 词:离子团簇  密度泛函理论  结构与稳定性  光电子能谱

Structure and Photoelectron Energy Spectrum of Ga2Asn Ion Clusters
Ma Deming,Shi Wei,Li Enling,Hou Liping,Dai Yuanbin.Structure and Photoelectron Energy Spectrum of Ga2Asn Ion Clusters[J].Acta Optica Sinica,2009,29(4).
Authors:Ma Deming  Shi Wei  Li Enling  Hou Liping  Dai Yuanbin
Abstract:
Keywords:
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