| 薄膜非晶/微晶叠层电池中NP隧穿结的影响 |
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| 引用本文： | 朱锋,赵颖,魏长春,任慧智,薛俊明,张晓丹,高艳涛,张德坤,孙建,耿新华.薄膜非晶/微晶叠层电池中NP隧穿结的影响[J].人工晶体学报,2006,35(1):81-84. |
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| 作者姓名： | 朱锋 赵颖 魏长春 任慧智 薛俊明 张晓丹 高艳涛 张德坤 孙建 耿新华 |
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| 作者单位： | 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071;南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津,300071;南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室,天津,300071 |
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| 基金项目： | 国家科技部重大基础研究项目(G2000028203,G2000028202)，教育部重点项目(No.02167)资助 |
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| 摘 要： | 本文论述了薄膜非晶/微晶叠层电池中NP隧穿结对电池性能的影响.在薄膜叠层电池中非晶顶电池的N层采用微晶硅,减小了电池的内部串联电阻影响.通过调整非晶硅顶电池N层和微晶硅底电池P层的厚度,降低NP隧穿结的影响,获得薄膜叠层电池效率11.73;(Voc=1.34V,Jsc=14.53mA/cm2,FF=60.27;),电池面积为0.253cm2.
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| 关 键 词： | 非晶/微晶叠层电池 微晶硅 N/P隧穿结 |
| 文章编号： | 1000-985X（2006）01-0081-04 |
| 收稿时间： | 2005-06-22 |
| 修稿时间： | 2005-06-22 |
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