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| 分子束外延生长p型ZnSe-ZnTe超晶格 | |
| 引用本文： | 徐梁,王海龙,沈爱东,崔捷,陈云良,沈玉华.分子束外延生长p型ZnSe-ZnTe超晶格[J].半导体学报,1993,14(8):505-508. |
| 作者姓名： | 徐梁 王海龙 沈爱东 崔捷 陈云良 沈玉华 |
| 作者单位： | 中国科学院上海光机所，中国科学院上海光机所，中国科学院上海光机所，中国科学院上海光机所，中国科学院上海光机所，中国科学院上海光机所 上海 201800，上海 201800，上海 201800，上海 201800，上海 201800，上海 201800 |
| 摘 要： | 一种p型应变层超晶格已用调制掺杂技术实现,这种超晶格材料是由不掺杂的ZnSe层和掺Sb的ZnTe层交替生长组成的,电学性质已由霍尔效应测量获得。p型应变层超晶格的空穴迁移率为220—250cm~2/V·s,空穴浓度为3—5×10~(14)/cm~3。 |
| 关 键 词： | 分子束外延 ZnSe－ZnTe 超晶格 P型 |
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