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| In_xGa_(1-x)As的俄歇电子谱定量分析 | |
| 引用本文： | 陈维德,陈宗圭,崔玉德.In_xGa_(1-x)As的俄歇电子谱定量分析[J].半导体学报,1993,14(7):410-415. |
| 作者姓名： | 陈维德 陈宗圭 崔玉德 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所，中国科学院半导体研究所，中国科学院半导体研究所 北京100083 中国科学院国家表面物理实验室，北京100080，北京 100083 中国科学院半导体超晶格国家重点实验室，北京 100083，北京100083 中国科学院国家表面物理实验室，北京 100080 |
| 摘 要： | 采用As元素作为内标对分子束外延生长In_xGa_(1-x)As进行定量俄歇分析。实验测定了元素相对灵敏度因子、基体修正因子和离子溅射修正因子,给出一个定量修正公式。检测结果与电子探针、X射线双晶衍射和手册灵敏度因子法等结果进行了比较。 |
| 关 键 词： | InGaAs 定量分析 俄歇电子谱 |
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