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| CRD的特性和硅外延层质量控制 | |
| 引用本文： | 洪云翔,张浙源.CRD的特性和硅外延层质量控制[J].半导体技术,1994(3):28-31. |
| 作者姓名： | 洪云翔 张浙源 |
| 作者单位： | 杭州大学电子系，浙江八七一厂 |
| 摘 要： | 本文分析了ＣＲＤ特性和外延层质量的关系，并报导了改善外延层质量的方法和措施。由于外延层晶格结构以及外延层厚和电阻率的均匀性提高，使ＣＲＤ的ＩＨ值精确控制和击穿电压ＶＢ值提高有限明显的进展。 |
| 关 键 词： | 半导体器件 恒流二极管 外延层 |
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