| Sm：GdVO4晶体的生长及光谱性能研究 |
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| 引用本文： | 何晓明,张连翰,陈光珠,何明珠,杭寅.Sm：GdVO4晶体的生长及光谱性能研究[J].人工晶体学报,2008,37(3). |
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| 作者姓名： | 何晓明 张连翰 陈光珠 何明珠 杭寅 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海光学机密机械研究所,上海,201800 |
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| 摘 要： | 应用中频感应提拉法生长出掺杂浓度为2%原子分数的Sm:GdVO4晶体,研究了室温下c轴方向sm:GdVO4晶体的吸收和荧光光谱.通过J-O理论计算出强度参数(Ωt),同时计算了对应于4G5/2能级的自发跃迁几率、荧光分支比和辐射寿命.通过荧光光谱计算了对应于566、604和646nm三个发射峰对应的发射截面,结果表明,Sm:GdVO4在604 nm的发射截面最大,是掺Sm:YAP在607 nm处发射截面的4.4倍.
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| 关 键 词： | Sm:GdVO4晶体 光谱性能 J-O理论 |
Growth and Spectroscopic Properties of Sm:GdVO4 Crystal |
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| HE Xiao-ming,ZHANG Lian-han,CHEN Guang-zhu,HE Ming-zhu,HANG Yin.Growth and Spectroscopic Properties of Sm:GdVO4 Crystal[J].Journal of Synthetic Crystals,2008,37(3). |
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| Authors: | HE Xiao-ming ZHANG Lian-han CHEN Guang-zhu HE Ming-zhu HANG Yin |
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