| a—Si：O：H薄膜微结构及其高温退火行为研究 |
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| 引用本文： | 王永谦,陈长勇,陈维德,杨富华,刁宏伟,许振嘉,张世斌,孔光临,廖显伯. a—Si：O：H薄膜微结构及其高温退火行为研究[J]. 物理学报, 2001, 50(12): 2418-2422 |
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| 作者姓名： | 王永谦 陈长勇 陈维德 杨富华 刁宏伟 许振嘉 张世斌 孔光临 廖显伯 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院半导体研究所凝聚态物理中心,表面物理国家重点实验室,北京,100083
2. 中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:69976028)和国家重点基础研究发展计划项目(批准号:2000028201)资助的课题. |
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| 摘 要： | 以微区Raman散射、X射线光电子能谱和红外吸收对等离子体增强化学气相沉积（PECVD）法制备的氢化非晶硅氧（a-Si:O:H)薄膜微结构及其退火行为进行了细致研究。结果表明a-Si:O:H薄膜具有明显的相分离结构，富Si相镶嵌于富O相之中，其中富Si相为非氢化四面体结构形式的非晶硅（a-Si)，富O相为Si,O,H三种原子随机键合形成的SiOx:H(x≈1.35)。经1150℃高温退火，薄膜中的H全部释出；SiOx:H(x≈1.35)介质在析出部分Si原子的同时发生结构相变，形成稳定的SiO2和SiOx(x≈0.64)；在析出的Si原子参与下，薄膜中a-Si颗粒固相晶化的成核和生长过程得以进行，形成纳米晶硅（nc-Si)，研究发现此时的薄膜具有典型的壳层结构，在nc-Si颗粒表面和外围SiO2介质之间存在着纳米厚度的SiOx(x≈0.64)中间相。
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| 关 键 词： | a－Si：O：H 微结构 高温退火 薄膜 氢化非晶硅氧 |
| 文章编号： | 1000-3290/2001/50(12)2418-05 |
| 修稿时间： | 2001-05-30 |
THE MICROSTRUCTURE AND ITS HIGH-TEMPERATURE ANNEALING BEHAVIOURS OF a-Si: O: HFILM |
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