| 半导体激光器阵列隔离槽的湿法腐蚀 |
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| 引用本文： | 辛国锋,陈国鹰,冯荣珠,花吉珍,安振峰,牛健,赵卫青.半导体激光器阵列隔离槽的湿法腐蚀[J].半导体学报,2003,24(10):1089-1092. |
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| 作者姓名： | 辛国锋 陈国鹰 冯荣珠 花吉珍 安振峰 牛健 赵卫青 |
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| 作者单位： | [1]河北工业大学信息工程学院微电子所，天津300130 [2]中国电子科技集团公司第十三研究所，石家庄050051 |
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| 基金项目： | 河北省科技攻关项目;03213540D; |
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| 摘 要： | 研究了几种腐蚀液对半导体激光器阵列外延材料的腐蚀过程,其中HF(40 %) /CrO3 (33wt%)腐蚀液比较适合,用扫描电子显微镜(SEM)对其腐蚀情况进行了分析,并给出了利用这种腐蚀液进行腐蚀的半导体激光器阵列隔离槽的图像.通过调节HF/CrO3 腐蚀液的体积比(从0 0 2到0 2 ) ,确定了AlxGa1-xAs组分渐变材料的腐蚀条件(室温2 3℃,腐蚀时间4min)以及最佳配比(体积比为0 1) .利用这种腐蚀液得到的腐蚀图形可以满足激光器阵列的要求.
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| 关 键 词： | 化学湿法腐蚀 半导体激光器阵列 扫描电子显微镜 |
| 文章编号： | 0253-4177(2003)10-1089-04 |
| 修稿时间： | 2002年11月23日 |
Wet Etching Study of Semiconductor Array Grooves |
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| Xin Guofeng ,Chen Guoying ,Feng Rongzhu ,Hua Jizhen ,An Zhenfeng ,Niu Jian and Zhao Weiqing.Wet Etching Study of Semiconductor Array Grooves[J].Chinese Journal of Semiconductors,2003,24(10):1089-1092. |
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| Authors: | Xin Guofeng Chen Guoying Feng Rongzhu Hua Jizhen An Zhenfeng Niu Jian and Zhao Weiqing |
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| Institution: | Xin Guofeng 1,2,Chen Guoying 1,Feng Rongzhu 2,Hua Jizhen 2,An Zhenfeng 2,Niu Jian and Zhao Weiqing 1 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | wet chemical etching semiconductor lasers array scanning electron microscope |
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