| 分子束外延生长的InAs/GaAs自组织量子点发光特性 |
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| 引用本文： | 孙彦,方志丹,龚政,苗振华,牛智川. 分子束外延生长的InAs/GaAs自组织量子点发光特性[J]. 人工晶体学报, 2005, 34(2): 384-386 |
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| 作者姓名： | 孙彦 方志丹 龚政 苗振华 牛智川 |
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| 作者单位： | 大同大学物理系,大同,037009;中国科学院半导体研究所,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(No. 60176006，No. 90201026)，中国科学院纳米科学与技术项目资助 |
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| 摘 要： | ![]()
研究了分子束外延生长的覆盖了1nm的InxAl1-xAs(x=0.2,O.3)和3nm的Ino2Gao8As复合应力缓冲层InAs/GaAs自组织量子点(QD)光致发光(PL)特性.加InAlAs层后PL谱红移到1.33μm,室温下基态和第一激发态间的跃迁能级差增加到86meV.高In组份的InAlAs有利于获得较长波长和较窄的半高宽(FWHM).对于覆盖复合应力缓冲层的QD不会使波长和FWHM发生显著变化,但可以使基态和第一激发态间的能级差进一步增大.这些结果归因于InAlAs能够有效的抑制In的偏析,减少应力,使QD保持较高的高度.同时,由于InAlAs具有较高的限制势垒,可以增加基态和第一激发态间的能级差.
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| 关 键 词： | 量子点 应力缓冲层 半高宽 光致荧光谱, |
| 文章编号： | 1000-985X(2005)02-0384-03 |
Light Emission Characteristics of Self-organized Quantum Dot of InAs/GaAs Grown at the Edge of Molecular Beam |
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| SUN Yan,FANG Zhi-dan,GONG Zheng,MIAO Zhen-hua,NIU Zhi-chuan. Light Emission Characteristics of Self-organized Quantum Dot of InAs/GaAs Grown at the Edge of Molecular Beam[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2005, 34(2): 384-386 |
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| Authors: | SUN Yan FANG Zhi-dan GONG Zheng MIAO Zhen-hua NIU Zhi-chuan |
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| Affiliation: | SUN Yan~1,FANG Zhi-dan~2,GONG Zheng~2,MIAO Zhen-hua~2,NIU Zhi-chuan~2 |
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| Abstract: | ![]()
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| Keywords: | quamtum dot stress buffer layer FWHM photon induced fluorecence specrum |
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