|
|||||
|
|
| 正电子碰撞Ag，In，Sn原子L壳层电离截面的理论计算 | |
| 作者姓名： | 何彪 何建新 易有根 江少恩 郑志坚 |
| 作者单位： | 1. 国防科学技术大学理学院,长沙,410073 2. 湖南城市学院计算机科学系,益阳413000; 3. 中南大学物理科学与技术学院,长沙,410083 4. 中国工程物理研究院高密度等离子体物理国家重点实验室,绵阳,621900 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:10275056)和国防科技重点实验室基金(批准号:51480010104ZS7702)资助的课题 |
| 摘 要： | 在David Botz分析模型的基础上,综合考虑正电子及电子碰撞电离的库仑效应和电子交换效应,引入离子效应和相对论效应修正因子,计算了Ag,In,Sn原子的L壳层电离截面.计算结果表明,引入了修正因子的计算结果明显优于平面波波恩近似和扭曲波波恩近似的计算结果,并和最近文献的实验值符合得较好.其计算结果可为激光等离子体模拟提供准确参数. |
| 关 键 词： | L壳层 电离截面 正电子 |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《原子与分子物理学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《原子与分子物理学报》下载免费的PDF全文 | |